设备技术参数：
设备用途：
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备，广泛的应用于高等院校、科研院所的薄膜材料科研。
设备图片：
设备特点：
1. 本设备可实现直流溅射与射频溅射两种溅射模式。
2. 本设备有3个竖直向上的靶位，2个倾斜的靶位，可实现靶位互换，靶相对于基片的位置在小范围内由计算机控制连续可调，便于实验操作和实验要求。
3. 采用步进电机及涡轮减速器带动样品转盘及衬底基片和靶极挡板，通过计算机对转盘、靶位、镀膜时间和遮板的控制进行镀膜，具有较高的实验精度。
主要技术参数：
型号 | JGP-560 | |
真空室尺寸 | 梨型真空室，Ф560x350mm | |
真空系统配置 | 分子泵、机械泵、闸板阀 | |
极限压力 | ≤2.0x10-5Pa (经烘烤除气后) | |
恢复真空时间 | 40分钟可达到6.6x10-4Pa | |
基片水冷 | 基片结构 | 设计6个工位，其中1个工位安装加热炉，其余工位为水冷基片台 |
样品尺寸 | Ф30mm，可放置6片 | |
运动方式 | 0-360°住复回转 | |
加热 | 基片加热最高温度600°C±1°C | |
基片负偏压 | -200V | |
磁控靶组件 | 永磁靶5套 | |
气路系统 | 质量流量控制器2路 | |
计算机控制系统 | 控制样品转动、挡板开关、靶位确认等 | |
