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姜 勇
发布日期:2010-9-2 19:35:01 阅读次数:14780

 

北京科技大学材料物理与化学系、新金属材料国家重点实验室 教授、博士生导师

地址:北京市海淀区学院路30号;邮编:100083

电话:010-62333209

传真:010-62333209

Email:yjiang@mater.ustb.edu.cn

办公室:金物楼403

        

教育简历:

1990,合肥工业大学,材料科学与工程系,工学学士

1998,合肥工业大学,材料科学与工程系,工学硕士

2000,中国科学院等离子体物理研究所, 理学博士

 

工作简历:

1990/7- 1995/8, 安徽六安长江机械股份有限公司, 助理工程师

2001/2- 2002/8, 新加坡国立大学, 电子计算机工程系, Research Fellow

2002/9–2004/8,日本东北大学工学部,日本科学振兴机构(JST)研究员

2004/9 - 今, 北京科技大学教授,博士生导师

 

研究兴趣:

1.自旋电子学

2.磁学与磁性材料

 

正在主持的科研项目:

准一维半导体纳米结构的光电性质” (项目号2007CB936202),科技部重大研究计划(纳米专项)项目;

适用于车载电子罗盘的磁电阻材料的研究”(批准号107116),教育部科学技术研究重点项目;

电流垂直于平面构型自旋阀磁电阻行为的研究,国家自然科学基金面上项目(批准号50571021)

人工反铁磁结构对电流垂直于平面自旋阀性能的影响,教育部博士点基金(项目编号20050008037)

金属多层膜自旋阀器件的研究,教育部留学回国人员启动基金,编号11140043

电流垂直于平面构型自旋阀性能的研究,北京市自然科学基金项目(批准号2063030),;

 

自旋阀材料的研究,教育部新世纪优秀人才计划,项目编号20060420151

磁随机存储器中电流诱导磁化翻转行为的研究,国家自然科学基金,半导体集成化芯片系统基础研究重大研究计划面上项目,项目编号90607020

“422高层次创新人才工程人才基金,北京科技大学引进高层次人才科研启动项目;

 

自旋电子材料的研究”, 北京科技大学长江学者启动经费。

 

主要荣誉:

2005,教育部新世纪优秀人才

2005,教育部长江学者特聘教授

 

主要社会兼职:

2005–, 中南大学兼职教授;

2005.12–, 中国材料研究学会青年委员会理事;

 

 

代表性论文:

1.    Y.Jiang, N.Tezuka, K.Inomata, “Current-driven resistance oscillation in exchange-biased spin-valves with a low aspect ratio”, Appl.Phys.Lett. vol. 89, issue 12, 122514(2006).

2.    Y.Jiang, G.H.Yu, Y.B.Wang, J.Teng, T.Ochiai, N.Tezuka, and K.Inomata, “Spin transfer in antisymetric exchange-biased spin-valves”, Appl.Phys.Lett., vol.86, issue 19, 192515(2005).

3.    Y.Jiang, T.Nozaki, S.Abe, T.Ochiai, A.Hirohata, N.Tezuka, and K.Inomata, “Substantial reduction of critical current for magnetization switching in an exchange-biased spin-valve”, Nature Materials, vol.3,issue 6, 361-364(2004).

4.    Y.Jiang, S.Abe, T.Nozaki, T.Ochiai, A.Hirohata, N.Tezuka, and K.Inomata, “An effective reduction of critical current for current-induced magnetization switching by a Ru cap layer in an exchange-biased spin-valve”, Phys.Rev.Lett.vol.92, No.16,167204(2004).

5.    Y.Jiang, S.Abe, T.Nozaki, N.Tezuka, and K.Inomata, “ Enhancement of current-perpendicular-to-plane magnetoresistance by synthetic antiferromagnet free layer in single spin-valve films”, Appl.Phys.Lett, Vol.83, No.14, 2874-2876(2003).

 

 

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